| 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究 |
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| 引用本文： | 王平 杨银堂 崔占东 杨燕 付俊兴. 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究[J]. 西北大学学报(自然科学版), 2004, 34(5): 541-544,548 |
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| 作者姓名： | 王平 杨银堂 崔占东 杨燕 付俊兴 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所，河北半导体研究所，西安电子科技大学微电子研究所，西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安 710071，陕西西安 710071，河北石家庄 050051，陕西西安 710071，陕西西安 710071 |
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| 基金项目： | 教育部重点资助项目(02074)，国防科技预研基金资助(51408010601DZ1032) |
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| 摘 要： | 目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
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| 关 键 词： | 2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 迁移率 漂移速度 平均能量 |
| 文章编号： | 1000-274X(2004)05-0541-04 |
Ensemble Monte Carlo study of electron transport in bulk 2H SiC |
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| WANG Ping,YANG Yin-tang,Cui Zhan-dong,YANG Yan,FU Jun-xing. Ensemble Monte Carlo study of electron transport in bulk 2H SiC[J]. Journal of Northwest University(Natural Science Edition), 2004, 34(5): 541-544,548 |
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| Authors: | WANG Ping YANG Yin-tang Cui Zhan-dong YANG Yan FU Jun-xing |
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| Affiliation: | WANG Ping~1,YANG Yin-tang~1,Cui Zhan-dong~2,YANG Yan~1,FU Jun-xing~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 2H-SiC ensemble Monte Carlo study mobility drift velocity mean energy |
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