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高速TTL电路中测废品分析
引用本文:魏慧敏,李朝鲜.高速TTL电路中测废品分析[J].北京大学学报(自然科学版),1975(2).
作者姓名:魏慧敏  李朝鲜
作者单位:北京大学电子仪器厂 半导体专业70届工农兵学员 (魏慧敏),北京大学电子仪器厂 半导体专业70届工农兵学员(李朝鲜)
摘    要:对高速了TTL电路中测废品我们作了初步的调查分析,先后记录了十多批一万三千多个坏电路的情况,其中有一个参数不合格的,也有几个参数同时不合格的。某一个参数出现不合格的次数占总废品数的百分比超过30%的有:

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