| 水平定向凝固法合成砷化镓多晶 |
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| 引用本文： | 金敏,徐家跃,谈惠祖,何庆波.水平定向凝固法合成砷化镓多晶[J].上海应用技术学院学报,2014,14(3):187-190. |
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| 作者姓名： | 金敏 徐家跃 谈惠祖 何庆波 |
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| 作者单位： | 上海应用技术学院 材料科学与工程学院 晶体生长研究所;上海应用技术学院 材料科学与工程学院 晶体生长研究所;昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司;昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司 |
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| 摘 要： | 采用水平定向凝固法合成砷化镓多晶,定向凝固炉分为3个温区,砷单质在低温区(约630℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶.石英变形、砷端杂质、多晶表面氧化以及多晶尾端富镓是合成砷化镓多晶过程中易出现的宏观缺陷.通过对原料配方设计、砷蒸气压控制以及炉子降温程序设计等进行优化,成功获得了完整性好且电学性能指标优异的砷化镓多晶.多晶的迁移率在4 800~5 400cm2/(V·s),载流子浓度为1015~1016 cm-3量级,完全满足砷化镓单晶制备要求.
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| 关 键 词： | 砷化镓多晶 水平定向凝固法 缺陷 电学性能 |
Synthesis of GaAs Polycrystalline by Horizontal Directional Solidification Method |
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| JIN Min,XU Jia-yue,TAN Hui-zu and HE Qing-bo.Synthesis of GaAs Polycrystalline by Horizontal Directional Solidification Method[J].Journal of Shanghai Institute of Technology: Natural Science,2014,14(3):187-190. |
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| Authors: | JIN Min XU Jia-yue TAN Hui-zu and HE Qing-bo |
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| Institution: | Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China;Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China;Kunshan Dingjing Gallium Crystal Material Co., Ltd., Kunshan 215300, Jiangsu, China;Kunshan Dingjing Gallium Crystal Material Co., Ltd., Kunshan 215300, Jiangsu, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs polycrystalline horizontal directional solidification method defect electrical property |
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