| 纳米Si薄膜的光致发光模型 |
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| 引用本文： | 于积贞 薛华. 纳米Si薄膜的光致发光模型[J]. 西北民族学院学报, 1999, 20(3): 7-9,14 |
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| 作者姓名： | 于积贞 薛华 |
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| 作者单位： | 西北民族学院物理系!甘肃兰州730030 |
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| 摘 要： | 报导了纳米Ｓｉ 薄膜材料的光致发光现象．并根据纳米Ｓｉ 在１ ．６３ｅＶ 的发光峰值，讨论了发光与纳米微粒尺寸的关系，提出了一个模型，该模型能解释纳米Ｓｉ 光致发光现象，并研究了光致发光与限制激子的关系．
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| 关 键 词： | 纳米Si薄膜 光致发光 限制激子 |
Photoluminescence of Nanocrystalline Si Films |
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| YU Ji-zheng,XUE Hua. Photoluminescence of Nanocrystalline Si Films[J]. Journal of Northwest Minorities University(Natural Science ), 1999, 20(3): 7-9,14 |
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| Authors: | YU Ji-zheng XUE Hua |
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| Abstract: | In this paper we report strong visible photo luminescence (PL) of nc-Si film samples at room temperature and discuss the relation between PL and nano meter-siced structure.We propose a model in which PL of nc-Si film can be interpreted,and explain that PL is dependent on the exciton confinement. |
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| Keywords: | nc-Si film photoluminescence(PL) confinement exciton |
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