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热传导型半导体瞬态问题配置方法的H1模估计
引用本文:刘蕴贤.热传导型半导体瞬态问题配置方法的H1模估计[J].山东大学学报(理学版),2002,37(4):307-311.
作者姓名:刘蕴贤
作者单位:山东大学数学与系统科学学院,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金资助项目 ( 1 9972 0 3 9),数学天元基金资助项目 (TY1 0 1 2 6 0 2 9)
摘    要:热传导型半导体瞬态问题的数学模型是一类非线性偏微分方程的初边值问题。电子位热方程是椭圆型的,电子、空穴浓度方程及热传导方程是抛物型的。本文给出求解的配置方法,并得到最优H^1模误差估计。

关 键 词:热传导型半导体  瞬态问题  配置方法  H^1模估计  误差估计  非线性偏微分方程  数学模型
文章编号:1671-9352(2002)04-0307-05
修稿时间:2001年8月29日

Collocation Methods and H1-Error Estimates for the Semiconductor Problem with Heat-conduction
LIU Yun-xian.Collocation Methods and H1-Error Estimates for the Semiconductor Problem with Heat-conduction[J].Journal of Shandong University,2002,37(4):307-311.
Authors:LIU Yun-xian
Abstract:The mathematical models of the transient behavior of semiconductor with heat-conduction are initial and boundary peoblem of nonlinear partial differential equation system.Electric potential is described by a elliptic equation,while electron concentration,hole concentration and heat-conduction are described by parabolic equations.Collocation methods are given and optimal H 1-error estimates are obtained.
Keywords:transient behavior of semiconductor  heat-conduction  collocation method  error estimate
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