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| 半导体ZnO与其他功能氧化物的界面物理性质 | |
| 引用本文： | 任滢滢.半导体ZnO与其他功能氧化物的界面物理性质[J].厦门大学学报(自然科学版),2018(4). |
| 作者姓名： | 任滢滢 |
| 摘 要： | 正半导体材料是有源器件的基础,而功能氧化物功能材料在无源电子器件中有重要和广泛的应用.然而半导体和功能氧化物功能材料的复合薄膜的制备往往涉及异质和异构的界面耦合,使薄膜的生长方向经常发生转变.这种转变的详细机制尚未充分探讨.王惠琼教授的课题方向侧重于研究氧化物的界面物理1],特别是具有六方结构的半导体ZnO和具有立方结构的氧化物之间的界面耦合行为,以及可能形成的新型物理性质和材料性能2].近期,厦门大学物理 |
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