| 反应烧结法制备BN/Si_3N_4复相陶瓷的结构和性能 |
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| 引用本文： | 李永伟,唐学原.反应烧结法制备BN/Si_3N_4复相陶瓷的结构和性能[J].厦门大学学报(自然科学版),2018(3). |
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| 作者姓名： | 李永伟 唐学原 |
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| 作者单位： | 厦门大学材料学院福建省特种先进材料重点实验室;高性能陶瓷纤维教育部重点实验室(厦门大学) |
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| 摘 要： | 采用在硅(Si)粉中添加硼(B)粉,利用反应烧结法制备氮化硼/氮化硅(BN/Si_3N_4)复相陶瓷,分别采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜对其相组成和断面形貌进行表征,并采用同轴法分析其介电性能.结果表明:成型压强的增加会导致样品氮化率下降;随着氮化温度的升高,样品氮化率增大;随着B添加量的增加,样品的氮化率先升高后降低.采用12 MPa成型且B添加量为10%(质量分数)时,经1 450℃氮化处理制得的陶瓷以β-Si_3N_4相为主,孔隙率为40.12%,在2~18GHz频率下,其介电常数为3.27~3.58,介电损耗角正切值为1.10×10~(-3)~1.12×10~(-2).B的加入有效地改善了Si_3N_4陶瓷的介电性能,有望应用于透波材料领域.
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