| C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异 |
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| 引用本文： | 郑永梅,王仁智,郑金成,何国敏.C／BN_xC_（2（1－x））、BN／BN_xC_（2（1－x））和C／BN异[J].厦门大学学报(自然科学版),1996(5). |
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| 作者姓名： | 郑永梅 王仁智 郑金成 何国敏 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,博士点专项基金,福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价带偏移△Ｅｖ．结果表明：Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）的△Ｅｖ随ｘ的变化是非线性的，而应变层Ｃ／ＢＮ的△Ｅｖ随ｘ的变化是接近于线性；三种异质结的△Ｅｖ值随ｘ的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Ｅｍｖ随ｘ的变化规律．
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| 关 键 词： | 宽带隙半导体，应变层超晶格，价带偏移 |
Calculations of Valence-band Offsets in C/BN_xC_(2(1-x)),BN/BNxC_(2(1-x))and C/BN Heterojunctions |
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| Zheng Yongmei, Wang Renzhi, Zheng Jincheng , He Guomin.Calculations of Valence-band Offsets in C/BN_xC_(2(1-x)),BN/BNxC_(2(1-x))and C/BN Heterojunctions[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1996(5). |
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| Authors: | Zheng Yongmei Wang Renzhi Zheng Jincheng He Guomin |
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| Institution: | Dept. of Phys. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Wide-gap semiconductor Strained-layer superlattices Valence-band offset |
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