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新型超导体材料MgB_2的电子结构随压强的变化关系
引用本文:吕玉鹏,黄桂芹. 新型超导体材料MgB_2的电子结构随压强的变化关系[J]. 南京师大学报(自然科学版), 2001, 0(4)
作者姓名:吕玉鹏  黄桂芹
作者单位:南京师范大学物理科学与技术学院,南京师范大学物理科学与技术学院 南京,210097,南京,210097
摘    要:根据密度泛函理论运用全势能线性muffin tin轨道 (FP LMTO :full potentiallinear muffin tin orbital)方法计算了不同压强下MgB2 晶格常数发生变化时的电子结构的变化情况 ,得出态密度的倒数与临界温度的自然对数成线性关系 ,符合BCS理论 ,从而进一步证实了MgB2 的超导机制为电—声子耦合BCS机制

关 键 词:超导体MgB2  电子结构  压强  BCS理论

Relation Between Electronic Structure and Pressure of MgB_2
Lu Yupeng,Huang Guiqin. Relation Between Electronic Structure and Pressure of MgB_2[J]. Journal of Nanjing Normal University(Natural Science Edition), 2001, 0(4)
Authors:Lu Yupeng  Huang Guiqin
Abstract:The change of electronic structure in MgB 2 was calculated with different pressure using the method FP LMTO (full potential linear muffin tin orbital) based on Density Functional Theory.And the conclusion that the relation between the superconductivity temperature of MgB 2 and density of states satisfiys BCS theory was drawn,so the mechanism of MgB 2 is BCS mechanism.
Keywords:MgB 2  electronic structure  pressure  BCS theory
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