| 非磁性金属隔离层Bi,Ag和Cu对多层膜性能的影响 |
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| 作者姓名： | 李明华 于广华 朱逢吾 曾德长 赖武彦 |
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| 作者单位： | 华南理工大学机械学院,广州,510640;北京科技大学材料物理系,北京,100083;北京科技大学材料物理系,北京,100083;华南理工大学机械学院,广州,510640;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 本工作受国家自然科学基金（批准号：50471093）和中国博士后基金（批准号：2005037580）资助. |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag, Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag, Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜. 通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/NiFe/Bi(Ag, Cu)/FeMn/Ta的织构. 在NiFeⅠ/FeMn界面沉积大量的Cu也不会影响FeMn层的(111)织构. 与此相反, 在NiFeⅠ/FeMn界面沉积少量的Bi和Ag, FeMn层的织构就会受到破坏. 研究发现, 这与隔离层原子的晶体结构和晶格常数有关. 在Ta/NiFeⅠ/ FeMn/Bi(Ag, Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜中, 研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ和NiFeⅡ间的交换耦合场Hex1和Hex2相对于非磁金属隔离层Bi, Ag和Cu厚度的变化关系. 实验结果表明, 随着非磁金属隔离层厚度的增加, Hex1的大小基本不变, 保持在10.35～11.15 kA/m之间. 交换偏置场Hex2随着Bi, Ag和Cu厚度的增加急剧下降并趋于平滑. 当Bi, Ag和Cu的厚度分别为0.6, 1.2和0.6 nm时, 交换偏置场Hex2下降为0.87, 0.56和0.079 kA/m. 此后, 随着隔离层厚度的增加交换偏置场Hex2基本不变
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| 关 键 词： | NiFe/FeMn 非磁隔离层 交换耦合场 晶格匹配 表面偏聚 |
| 收稿时间： | 2005-12-31 |
| 修稿时间： | 2005-12-312006-04-20 |
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