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高纯ZnSO_4和ZnS中痕量Pp和Cu的测定——玻碳电极溶出伏安法
引用本文:袁爱华 ,孙金荣 ,张利华 ,张宏飞.高纯ZnSO_4和ZnS中痕量Pp和Cu的测定——玻碳电极溶出伏安法[J].西北大学学报,1981(2).
作者姓名:袁爱华  孙金荣  张利华  张宏飞
摘    要:高纯Z_nSO_4和Z_nS中痕量Pb及Cu杂质的测定,以前多用比色法、方波极谱或原子吸收法。这些方法,有的操作手续较繁,有的设备昂贵,不便于广泛使用。我们为了配合校化工厂荧光粉研制需要,曾试验应用玻碳电极汞膜伏安法测定高纯ZnSO_4和ZnS中痕量Pb和Cu杂质,取得了较满意的结果。实验证明,在0.5NHCl底液中,Pb~( )和Cu~( )的浓度在10~(-6)—10~(-8)M范围内,其溶出峰高与浓度成正比。回收率的相对误差和样品中杂质测定的相对误差都在6%以下。方法灵敏、简便、快速。

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