| 热处理温度对AIP／SiO2纳米复合材料发光的影响 |
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| 引用本文： | 郭芳侠.热处理温度对AIP／SiO2纳米复合材料发光的影响[J].陕西师范大学学报,2001,29(3):50-52. |
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| 作者姓名： | 郭芳侠 |
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| 作者单位： | 郭芳侠（陕西师范大学物理学与信息技术学院,
陕西西安 710062） |
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| 基金项目： | 陕西省教委专项科研基金资助项目(99JK146) |
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| 摘 要： | 对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究。结果表明，500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585nm附近的发光峰，它来源于表面态和缺陷复合发光，600℃热处理的样品有两个发光峰，分别位于585nm和635nm附近。分析认为，635nm的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有助于晶粒的生长，从而使表面态和缺陷发光明显减弱，出现另一由于隧穿复合产生的发光峰。
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| 关 键 词： | 热处理温度 AIP／SiO2纳米材料 隧穿复合发光 光致发光 表面态 缺陷复合发光 复合材料 |
| 文章编号： | 1001-3857(2001)03-0050-03 |
| 修稿时间： | 2001年3月30日 |
Heat treatment influence on photo-luminescence of AlP/SiO2
nano-composites |
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