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基于输出电压摆幅提高的超低相位噪声VCO设计
引用本文:戚玉华,何如龙. 基于输出电压摆幅提高的超低相位噪声VCO设计[J]. 科学技术与工程, 2016, 16(11)
作者姓名:戚玉华  何如龙
作者单位:海军工程大学电子工程学院 湖北 武汉 430033,海军工程大学电子工程学院 湖北 武汉 430033
摘    要:本文提出了一种新型的超低相位噪声VCO结构,该结构能够在不增加额外电感、不增大芯片面积的前提下,实现输出电压摆幅的大幅度提高,使得摆幅可以高于供电电压且低于地电位,进而改进VCO的相位噪声。采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺对该VCO进行设计。芯片测试结果表明:该VCO的振荡频率为5.5 GHz~6.2 GHz,在5.8 GHz振荡频率处,相位噪声达到-126.26 dBc/Hz@1 MHz,消耗的功耗为2.5 mW。归一化FOM指标达到-197.5 dBc/Hz。

关 键 词:压控振荡器  相位噪声  输出电压摆幅  
收稿时间:2015-12-02
修稿时间:2015-12-02

Design of a ultralow-phase-noise VCO based on increased output voltage swing
QI Yuhua and HE Rulong. Design of a ultralow-phase-noise VCO based on increased output voltage swing[J]. Science Technology and Engineering, 2016, 16(11)
Authors:QI Yuhua and HE Rulong
Affiliation:Electronic Engineering College,Naval University of Engineering,PLA
Abstract:
Keywords:Voltage control oscillator   phase noise   output voltage swing
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