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CsI/Ni/LiF光电发射特性研究
引用本文:徐登高,刘元震. CsI/Ni/LiF光电发射特性研究[J]. 南京理工大学学报(自然科学版), 1990, 0(2)
作者姓名:徐登高  刘元震
作者单位:华东工学院光电技术系,华东工学院光电技术系
摘    要:本文用 H_2水冷毛细管真空紫外辐射源对 CsI/Ni/LiF 半透明真空紫外光阴极进行了测试研究,得出该光阴极的伏安特性曲线,光阴极厚度与光电发射关系;测出真空紫外辐射源的工作特性.通过测试与计算得出 CsI/Ni/LiF 半透明光阴极的量子产额,利用对照测试法指出该阴极具有良好的“日盲”效应.

关 键 词:透明光电阴极  光电子发射  特性  测量

A Study on Photoemission Characteristics of CsI/Ni/LiF.
Xu Denggao. A Study on Photoemission Characteristics of CsI/Ni/LiF.[J]. Journal of Nanjing University of Science and Technology(Nature Science), 1990, 0(2)
Authors:Xu Denggao
Affiliation:Department of Optical and Electronic
Abstract:
Keywords:transparent photocathode  photoelectric emission  charactcristics  measurements
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