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| 无位错硅单晶与长苞 | |
| 引用本文： | 赵寿南.无位错硅单晶与长苞[J].华南理工大学学报(自然科学版),1973(1). |
| 作者姓名： | 赵寿南 |
| 作者单位： | 广东工学院无线电系 |
| 摘 要： | 本文引用连续介质模型和点阵模型的理论及有关推导,近似计算了硅中产生位错以及使位错滑移运动所需的应力,从而导出合适的应力(在10~(10)达因/厘米~2数量极范围内)有利于排除硅单晶中的位错。长苞(或称鼓棱)一般是表征应力合适的一种现象,但是长苞所产生的应力并不是唯一的、理想的,最好采用其它方法产生合适的应力,使晶体沿着<111>方向顺利生长,以适应器件制造所需要的无位错硅单晶要求。 |
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