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TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响
引用本文:朱成龙,沈明荣,李涛.TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响[J].苏州大学学报(医学版),2007,23(3):49-54.
作者姓名:朱成龙  沈明荣  李涛
作者单位:苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006
摘    要:研究了TiO2过渡层对BiFeO3薄膜微结构和铁电磁性质的影响.采用溶胶-凝胶法分别在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BiFeO3薄膜.通过加入约10 nm厚度的TiO2过渡层,在两种衬底上均制备出了纯相BiFeO3薄膜,而未加过渡层的薄膜均有杂相存在.与未加TiO2过渡层相比较,BiFeO3/TiO2薄膜表面颗粒大小更加均匀、致密、平整.在室温10kHz下沉积在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的薄膜的损耗从0.094下降到0.028;而薄膜的介电常数变化不大,分别为177和161.在室温下同时测得了薄膜的电滞回线和磁滞回线.BiFeO3/TiO2薄膜的饱和磁化强度为16.8 emu/cm3,在600kV/cm电场下,剩余极化强度为9.8μC/cm2.研究表明,TiO2过渡层能够有效地抑制Bi FeO3薄膜杂相的生成,提高薄膜的表面平整度以及耐压性.

关 键 词:溶胶-凝胶法  铁磁电材料  BiFeO3薄膜  TiO2过渡层
文章编号:1000-2073(2007)03-0049-06
收稿时间:2007-01-20
修稿时间:2007年1月20日

The effect of TiO2 buffer layer on the microstructure and ferroelectric and magnetic properties of BiFeO3 films
Zhu Chenglong,Shen Mingrong,Li Tao.The effect of TiO2 buffer layer on the microstructure and ferroelectric and magnetic properties of BiFeO3 films[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2007,23(3):49-54.
Authors:Zhu Chenglong  Shen Mingrong  Li Tao
Abstract:
Keywords:sol-gel  multiferroic materials  BiFeO3 films  TiO2 buffer layer
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