| 一种高电源抑制比的基准电压源设计 |
| |
| 引用本文： | 付秀兰,黄英,向蓓,汤志强.一种高电源抑制比的基准电压源设计[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2009,32(4). |
| |
| 作者姓名： | 付秀兰 黄英 向蓓 汤志强 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009 |
| |
| 摘 要： | 文章采用0.6 μm N阱CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比、低噪声的带隙基准电压源.在传统带隙基准电路结构的基础上,采用添加新的电压支路,在环路反馈网络中直接引进噪声的理念,提高了电源抑制比.利用Cadence Spectre工具仿真,结果表明,电路工作电压范围为2.5～5.5 V,输出基准电压为1.2 V,低频时电源抑制比可达到110 dB,在-25～85 ℃范围内温漂为26×10-6/℃,在10～1.0×105 Hz带宽范围内的RMS电压噪声为43 μV,具有高电源抑制比、低输出噪声的特性.
|
| 关 键 词： | 带隙基准电压源 电源抑制比 输出噪声 温度系数 |
A simple bandgap voltage reference with high PSRR |
| |
| FU Xiu-lan,HUANG Yin,XIANG Bei,TANG Zhi-qiang.A simple bandgap voltage reference with high PSRR[J].Journal of Hefei University of Technology(Natural Science),2009,32(4). |
| |
| Authors: | FU Xiu-lan HUANG Yin XIANG Bei TANG Zhi-qiang |
| |
| Institution: | Dept.of Applied Physics;Hefei University of Technology;Hefei 230009;China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
