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| 执轨道转移力矩之笔,书写磁随机存储器新篇章 | |
| 引用本文： | 潘振存,李栋,廖志敏.执轨道转移力矩之笔,书写磁随机存储器新篇章[J].科学通报,2024(8):974-976. |
| 作者姓名： | 潘振存 李栋 廖志敏 |
| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室和纳光电子前沿科学中心;2. 北京大学前沿交叉学科研究院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61825401,91964201)； |
| 摘 要： | <正>磁随机存取存储器(magnetoresistive random access memory, MRAM)以其高能效和快速的数据存储能力在大数据时代备受关注1,2].在MRAM单元中,数据通过两个铁磁层磁化状态的平行和反平行排列以低电阻态和高电阻态形式存储在磁隧道结(magnetic tunnel junction, MTJ)中3,4]. |