| 晶格匹配InAlN/GaN异质结2DEG迁移率机制研究 |
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| 引用本文： | 任舰,汪照贤,苏丽娜,李文佳.晶格匹配InAlN/GaN异质结2DEG迁移率机制研究[J].淮阴师范学院学报(自然科学版),2019,18(4). |
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| 作者姓名： | 任舰 汪照贤 苏丽娜 李文佳 |
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| 作者单位： | 淮阴师范学院 计算机科学与技术学院,江苏 淮安,223300;杭州杰华特微电子有限公司,浙江 杭州,310012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质外延上制备了TLM测试结构,通过提取方块电阻计算不同温度(100-525 K)的迁移率,并采用多种散射模型拟合迁移率温度依赖曲线,研究了高低温下InAlN/GaN异质结2DEG的迁移率机制.结果表明,随着温度由100 K逐渐增加至525 K,2DEG迁移率随温度增加而降低,低于200 K时平缓降低,高于200 K时则快速降低.多种散射模型拟合迁移率温度依赖数据表明,产生上述现象的原因是低温下(200 K),2DEG迁移率主要受界面粗糙散射影响,随着温度升高,极性光学声子散射占主导.
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| 关 键 词： | 晶格匹配InAlN/GaN 2DEG 迁移率 方块电阻 |
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