| 聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度浓度分布的研究 |
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| 引用本文： | 王蓓,陈忠浩,陆海纬,宋云,曹永明,曾.聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度浓度分布的研究[J].复旦学报(自然科学版),2007,46(1):96-99. |
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| 作者姓名： | 王蓓 陈忠浩 陆海纬 宋云 曹永明 曾 |
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| 摘 要： | 随着聚焦离子束(focused ion beam, FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.
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| 关 键 词： | 聚焦离子束 无掩膜离子注入 溅射 刻蚀 离子束流 饱和剂量 |
| 文章编号： | 0427-7104(2007)01-0096-04 |
| 修稿时间： | 2006年7月11日 |
Investigation of Ion Depth Profile in Silicon Implanted by Focused Ion Beam |
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| WANG Bei,CHEN Zhong-hao,LU Hai-wei,SONG Yun,CAO Yong-ming,ZENG Wei.Investigation of Ion Depth Profile in Silicon Implanted by Focused Ion Beam[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2007,46(1):96-99. |
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| Authors: | WANG Bei CHEN Zhong-hao LU Hai-wei SONG Yun CAO Yong-ming ZENG Wei |
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