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氧化还原敏感型元件调控大肠杆菌氧化胁迫耐受性
作者姓名:李婷婷  王亮  刘晨光
作者单位:1. 上海交通大学生命科学技术学院微生物代谢国家重点实验室;2. 大连工业大学生物工程学院
基金项目:国家重点研发计划(2018YFB1501401);;国家自然科学基金(21978167);;微生物代谢国家重点实验室开放课题(MMLKF20-09);
摘    要:在大肠杆菌(Escherichia coli)中对自身和来自运动发酵单胞菌(Zymomonas mobilis)的转录因子SoxR的氧化胁迫抗性及元件通路进行了验证与改造。胁迫测试表明,在E.coli中过表达自身E-SoxR或异源表达Z-SoxR均不能提高菌株的胁迫耐受性。荧光定量分析表明,在E.coli中,联合下游基因过表达E-SoxR增强了菌株对抑制物的梯度响应,异源表达Z-SoxR反而降低了菌株对抑制物的梯度响应。在E.coli中,通过在SoxR下游连接抗性基因,分别获得了耐受H2O2和糠醛(furfural)胁迫的单基因菌株,进而构建双基因组合菌株,提升了大肠杆菌对双胁迫环境的耐受性,证明了氧化还原敏感型元件能够智能响应复杂抑制物条件下的胁迫。该研究为微生物利用木质纤维素水解液发酵生产奠定了基础。

关 键 词:大肠杆菌  转录因子SoxR  氧化还原敏感型元件  胁迫耐受性
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