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Tb-Fe合金系非晶薄膜的电子输运性质
作者姓名:韩顺辉
作者单位:中国科学院物理研究所(韩顺辉,杨翠英,周玉清),中国科学院物理研究所(陈乐群)
摘    要:引言非晶材料的电子输运性质已成为人们感兴趣的研究课题。我们对稀土—铁族非晶薄膜开展了一些观察电子输运性质的工作。在对溅射的Gd-Co薄膜观察到低温电阻率反常之后,对用蒸发淀积方法制备的Tb_(36)Fe_(64)非晶薄膜,也观察到低温电阻率反常。在此基础上,我们在一般真空度(2×10~(-5)—6×10~(-6)mmHg)的条件下,制备了一组Tb_xFe_(100-x)(at.%)合金非晶薄膜,20≤x≤75,进一步探讨稀土一铁族非晶薄膜的电子输运性质。

收稿时间:1980-10-22
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