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碳纳米管薄膜场效应晶体管的初步研究
引用本文:张世花,徐贝贝,郭瞻. 碳纳米管薄膜场效应晶体管的初步研究[J]. 景德镇高专学报, 2007, 22(2): 31-33
作者姓名:张世花  徐贝贝  郭瞻
作者单位:景德镇高专,应用电子与物理系,江西,景德镇,333000
摘    要:硅电子器件是微电子科技中最重要的一类器件,它对二十世纪的科技发展起了重要的影响。但是小型化,高速,低能耗和散热的问题,使硅器件越来越难满足发展的需求。碳以很多形式出现,如金刚石,石墨,富勒烯和纳米管,无定型碳等。和氢结合以后,可以得到一系列的有机物。碳基材料范围很广,包括小分子和聚合物,它们包括绝缘体,半导性能和导电聚合物,具有开关性能,具有超导性能和磁性能等。将来碳基电子将有可能取代硅电子器件。固态碳有两种成键方式,sp3和sp2成键形式。在它的sp2成键形式中,如富勒烯和石墨,碳是半导体性能的。富勒烯的衍生物如C60和C70已经被用于制备有机薄膜晶体管。石墨本身尽管在电子器件中没有很多的应用,但是如果它按一定角度卷成管状——纳米碳管。碳纳米管具有独特的电学和力学性能,自1991年被发现以来,立即引起了各国科学家的广泛兴趣,其研究热情有增无减。由碳纳米管制备纳米电子器件,这可能是集碳纳米管各种物理化学性能于一体的,实现其巨大潜能的终极目标。

关 键 词:富勒烯  纳米管  场效应晶体管
文章编号:1008-8458(2007)02-0031-03
修稿时间:2007-01-26

A Preliminary Study on Carbon Nanotubes Film Field Effcet Transistor
ZHANG Shi-hua,XU Bei-bei,GUO Zhan. A Preliminary Study on Carbon Nanotubes Film Field Effcet Transistor[J]. Jingdezhen Comprehensive College Journal, 2007, 22(2): 31-33
Authors:ZHANG Shi-hua  XU Bei-bei  GUO Zhan
Abstract:
Keywords:
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