| 焙烧对二氧化硅胶体晶体薄膜光学特性的影响 |
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| 作者姓名： | 汪静 李康 袁春伟 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京 210096;大连水产学院基础部,大连 116023
2. 东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京 210096;淮阴师范学院化学系,淮安 223001
3. 东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,南京 210096 |
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| 基金项目： | 本工作为国家自然科学基金重点资助项目(批准号: 69831010). |
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| 摘 要： | 以垂直沉积法(vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜, 并将其在不同温度下进行了焙烧. 通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃, 800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征. 结果表明, 样品在较大范围内保持单晶密排有序结构, 而且无断裂现象发生. 经400℃和800℃焙烧3 h后衍射峰发生很小的蓝移, 而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.
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| 关 键 词： | 胶体晶体薄膜 光学特性 垂直沉积法 二氧化硅 焙烧 |
| 收稿时间： | 2003-03-26 |
| 修稿时间： | 2003-03-26 |
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