| MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体中替位V4+自旋哈密顿参量研究 |
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| 引用本文： | 林季资,肖沛. MO2(M=Ti,Ge,Sn)晶体中替位V4+自旋哈密顿参量研究[J]. 北华大学学报(自然科学版), 2008, 9(4): 299-303 |
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| 作者姓名： | 林季资 肖沛 |
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| 作者单位： | 江苏科技大学,基础部,江苏,张家港,215600;江苏科技大学,基础部,江苏,张家港,215600 |
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| 摘 要： | 基于离子簇模型,应用斜方畸变八面体中3d1电子的EPR参量微扰公式,研究了MO2(M=Ti,Ce,Sn)晶体(金红石型)中替位V4 的EPR参量,发现由于V4 取代晶体中阳离子而引起的姜泰勒(Jahn-Teller)效应,将导致杂质离子局部结构形成微小压缩八面体.进一步考虑了配体轨道及旋轨耦合作用和杂质离子周围的畸变对自旋哈密顿参量的贡献,结果与实验符合的更好.
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| 关 键 词： | 电子顺磁共振 自旋哈密顿 V4+ MO2(M=Ti Ge Sn) |
On Spin Hamiltonian Parameters for the Substitutional V4+ Centers in the Rutile-type Hosts MO2 (M=Ti, Ge, Sn) |
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| LIN Ji-zi,XIAO Pei. On Spin Hamiltonian Parameters for the Substitutional V4+ Centers in the Rutile-type Hosts MO2 (M=Ti, Ge, Sn)[J]. Journal of Beihua University(Natural Science), 2008, 9(4): 299-303 |
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| Authors: | LIN Ji-zi XIAO Pei |
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