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| PCVD TiN工艺参数对膜基结合强度的影响 | |
| 引用本文： | 李松辉,陈大凯,张恒,李俊,李平生,杨让.PCVD TiN工艺参数对膜基结合强度的影响[J].武汉科技大学学报(自然科学版),1988(4). |
| 作者姓名： | 李松辉 陈大凯 张恒 李俊 李平生 杨让 |
| 作者单位： | 武汉钢铁学院，武汉钢铁学院，武汉钢铁学院，武汉钢铁学院，武汉钢铁学院，武汉钢铁学院北京科技大学 |
| 摘 要： | 作者用4Cr5MoVlSi及3Cr2W8V两种热模具钢试样进行了等离子体增强化学气相沉积(PCVD)TiN的工艺试验,探讨了PCVD TiN工艺参数对膜基结合强度、硬度和结构的影响。结果表明,在比常规化学气相沉积(CVD)方法低得多的温度下,就能得到TiN沉积层。还用X射线衍射法对沉积层的结构进行了分析;用划痕法对不同工艺参数下得到的TiN沉积层与基体的结合强度(用临界负荷表示)进行了研究。 |
| 关 键 词： | 直流等离子体 沉积 氮化钛 |
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