| YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究 |
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| 引用本文： | 葛秀涛,高峰.YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究[J].中国科学技术大学学报,2000,30(1):92-98. |
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| 作者姓名： | 葛秀涛 高峰 |
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| 作者单位： | 葛秀涛(滁州师范专科学校化学系,安徽滁州 239012);高峰(中国科学技术大学材料科学与工程系,安徽合肥
230026) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(29571026)；安徽省教委资助课题(99J10
158) |
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| 摘 要： | 用化学共沉淀法制备了ＹＦｅＯ３及其掺锌固溶体Ｙ１－ｘＺｎｘＦｅＯ３气敏材料，并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Ｆｅ与Ｙ物质的量比为１：１，８５０℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相ＹＦｅＯ３；电导测量显示，该系列材料呈ｐ型半导体导电行为，且固溶体导电优于纯相。Ｙ０．９４Ｚｎ０．０６ＦｅＯ３电导突变温度４００℃，较纯相ＹＦｅＯ３低７０℃，９００℃下热处理４ｈ所得微粉制作
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| 关 键 词： | YFeO3 气敏性能 掺杂 制备 复合氧化物 半导体 |
| 文章编号： | 0253-2778(2000)01-0092-07 |
| 修稿时间： | 1999-05-13 |
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