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| 纳米球制备Spindt阴极及其场致发射特性仿真 | |
| 摘 要： | 结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分布的微孔阵列,微孔孔径为300~500 nm,绝缘层厚度为500 nm,孔间距为750 nm,微孔集成度达到10~8个/cm~2,是普通光刻技术的10倍以上.利用CST粒子工作室的质点网格求解器对该工艺方法制备的Spindt阴极的场致发射特性进行了数值仿真,结果表明发射尖端曲率半径、栅极孔径以及尖端相对栅极的高度是影响发射电流的决定因素. |
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