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| InSb红外器件性能分析 | |
| 引用本文： | 王丽娟.InSb红外器件性能分析[J].科技资讯,2007(21):3-3. |
| 作者姓名： | 王丽娟 |
| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南洛阳,471009 |
| 摘 要： | 本文用统计研究方法分析了InSb红外器件的AGC(AUTO-GAIN-CONTROL自动增益控制)特性。并引入光电二极管综合电阻的概念,从理论上拟合了工艺上所出现的光电二极管I-V特征上的三段现象及AGC特性。 |
| 关 键 词： | 光电二极管 I-V AGC 串联电阻 |
| 文章编号： | 1672-3791(2007)07(c)-0003-01 |
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