| 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能 |
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| 引用本文： | 武德起,姚金城,赵红生,常爱民,李锋,周阳. 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2009, 29(5): 484. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.05.010 |
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| 作者姓名： | 武德起 姚金城 赵红生 常爱民 李锋 周阳 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院半导体所,北京,100038;中国科学院研究生院,北京,100049； 2.中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011； 3.中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049； 4.河北大学物理科学与技术学院,河北保定,071002 |
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| 基金项目： | 中科院研究生科学与社会实践资助专项创新研究项目，中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 am厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
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| 关 键 词： | ZrO2薄膜 高介电栅介质 等效厚度 漏电流 |
Physical and Electrical Properties of ZrO_2 Gate Dielectrics Film |
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| WU De-qi,YAO Jin-cheng,ZHAO Hong-sheng,CHANG Ai-min,LI Feng,ZHOU Yang. Physical and Electrical Properties of ZrO_2 Gate Dielectrics Film[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2009, 29(5): 484. DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.05.010 |
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| Authors: | WU De-qi YAO Jin-cheng ZHAO Hong-sheng CHANG Ai-min LI Feng ZHOU Yang |
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| Affiliation: | 1.Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry;Chinese Academy of Science;Urumqi 830011;China;2.Institute of Semiconductor;Beijing 100038;3.Graduate School;Chinese Academy of Sciences;Beijing 100049;4.College of Physics Science and Technology;Hebei University;Baoding 071002;China |
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| Abstract: | ZrO2 gate dielectric films was deposited on Si substrate by pulse laser deposition,X-ray diffraction reveals the ZrO2 gate dielectric films are still amorphous after annealed at 450 ℃ in O2 ambient,there is no product on the interface.Electrical properties testing shows the equivalent oxide thickness of 10 nm-thick ZrO2 film is 3.15 nm and dielectric constant is 12.38.The leakage current density of Al/ZrO2/Si/Al sample at-1 V is 1.1×10-4 A/cm2. |
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| Keywords: | ZrO2 film high-κ gate dielectrics equivalent oxide thickness leakage current |
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