| 铊系超导薄膜圆环图形中临界电流密度的空间分布 |
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| 引用本文： | 冯一军.铊系超导薄膜圆环图形中临界电流密度的空间分布[J].科学通报,1994,39(8):703-703. |
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| 作者姓名： | 冯一军 |
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| 作者单位： | 南京大学信息物理系 南京210008
(冯一军，程其恒，吴培亨)，南京大学现代分析中心 南京210008
(刘涵默)，南开大学电子科学系 天津300071
(阎少林，方兰)，南开大学电子科学系 天津300071(曹慧丽) |
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| 摘 要： | 微波无源器件是高温超导薄膜的一个重要应用领域,利用高温超导薄膜可以实现许多微波无源器件,如谐振器、滤波器、延迟线、天线等.目前,这方面的研究已取得了可喜的成就,出现了许多有实用价值的器件,展现了高温超导薄膜微波无源器件广阔的应用前景.绝大多数高温超导微波无源器件都是将高温超导薄膜刻蚀为所需要的图形而得到的.这些图形的形状、尺寸可以根据器件的性能,由微波理论设计而定,一般采用微带电路的形式.
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| 关 键 词： | 铊系 薄膜 临界电流密度 超导体 |
| 收稿时间： | 1993-07-12 |
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