| 碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究 |
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| 引用本文： | 王建安,张端明,李国元,何元金.碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1991(1). |
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| 作者姓名： | 王建安 张端明 李国元 何元金 |
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| 作者单位： | 华中理工大学物理系
(王建安，张端明，李国元)，清华大学(何元金) |
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| 摘 要： | 碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.
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An Experimental Investigation on the Defects in Hg_(1-x)Cd_x Te by Positron Annihilation Technique |
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| Wang Jianan Zhang Duanming Li Guoyuan He Yuanjin.An Experimental Investigation on the Defects in Hg_(1-x)Cd_x Te by Positron Annihilation Technique[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1991(1). |
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| Authors: | Wang Jianan Zhang Duanming Li Guoyuan He Yuanjin |
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| Institution: | Wang Jianan Zhang Duanming Li Guoyuan He Yuanjin |
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| Keywords: | Hg_(1-x)Cd_xTe (MCT) 5 Positron annihilation Annealing Defect |
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