钆(Gd)在Si/SiO_2界面的电效应期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

钆(Gd)在Si/SiO_2界面的电效应

作者姓名：	李思渊张同军李寿嵩

摘要：	最近我们发现,把 Gd 引入 Si/SiO_2界面能引起与金类似的高频和甚低频 MOSCV 曲线沿正压方向的平移。显示了界面正电荷的明显减少。图1,2分别给出了在
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