|
|||||
|
|
| LPCVD氮化硅表面氧化膜的XPS研究 | |
| 引用本文： | 戴道宣 ,王季陶 ,俞鸣人 ,庞嬿婉.LPCVD氮化硅表面氧化膜的XPS研究[J].复旦学报(自然科学版),1983(4). |
| 作者姓名： | 戴道宣 王季陶 俞鸣人 庞嬿婉 |
| 摘 要： | 低压化学汽相淀积法制备的氮化硅薄膜在半导体工业中已有良好的应用效果,促使人们对它进行深入研究.近年来,已对常压CVD法制备的氮化硅做了不少研究,人们发现,氮化硅在空气中易于氧化而在表面形成氧化膜,但氧化机理尚未弄清,为了进一步提高LPCVD氮化硅的钝化效果,并考虑到集成电路中有时要把氮化硅膜表面氧化成SiO_2,制备复合介质膜,作者尝试用XPS,结合Si2p和N1s谱峰随光电子发射角θ关系的测量,研究了室温下空气中氮化硅表面的氧化过程及氧化膜内的组分、化学结构. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |