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| SiC基HEMTs器件的沟道温度热仿真 | |
| 作者姓名： | 侯宪春 吴云飞 董艳红 |
| 作者单位： | 佳木斯大学理学院 |
| 基金项目： | 佳木斯大学2012科学技术研究面上项目(L2012-046);佳木斯大学2011科学技术研究青年基金项目Lq2011-029 |
| 摘 要： | GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了AlGaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟道温度随着沟道位置的不同而不同的变化图.通过仿真得到,在中心沟道处的温度最高,以及随着远离沟道中心,沟道温度将会减小的结论. |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 有限元法 沟道温度 |
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