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10.7GHz介质谐振器稳频GaAs-FET振荡器
引用本文:张志兰,贾振义.10.7GHz介质谐振器稳频GaAs-FET振荡器[J].河北大学学报(自然科学版),1987(1).
作者姓名:张志兰  贾振义
作者单位:河北大学电子系 (张志兰),河北大学电子系(贾振义)
摘    要:本文介绍了一种用国产器件研制的采用介质谱振器稳频,具有高稳定、低噪声的10.7 GHz GaAs-FET振荡器。阐述了振荡电路的设计方法:分析了介量谐振器稳频和降低噪声原理。并给出了性能测试结果。


G_aA_S-FET Oscillator With a Dielectric Resonator in the 10.7GH_2
Abstract:the paper describes a high stability lownoise GaAS-FET Oscillator witth a dieletric resonator in the 10.7GH2. It is made of native component. the designing method of circuit is described; The principle to stabilize the ferquency with a dielectric resonator is discussed and the results of performance test are given.
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