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| 弱場磁阻法測定P型硅杂質补偿 | |
| 作者单位： | 半导体测量组 |
| 摘 要： | Ⅰ.导言在半导体的研究工作或器件制造的工作中常要分別确定其中Ⅲ族及Ⅴ族杂貭濃度——即施主和受主的杂貭濃度。硅单晶体一般是p型的,因为硅中含有多量的硼杂貭。而且还含有大量的被补偿了的施主,因此测定硅中杂貭补偿的情况特别重要。室温时的霍尔系数和电阻率仅和p型杂貭,n型杂貭补偿以后的杂质密度有关, |
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