基于功率放大芯片可靠性优化的多热源电热联合仿真方法 |
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摘 要: | 随着5G时代的来临,功率密度的增加对高集成度封装的功率放大芯片带来了严峻挑战.为此,文中提出一种基于功率放大芯片可靠性优化的多热源电热联合仿真方法.该方法从功率放大芯片的电路设计出发,利用电路和版图参数建立的模型,采用仿真获得的功率放大芯片内部多热源分布优化电路设计和版图布局,从而实现电气指标和芯片可靠性的双向优化;其克服了传统热分析脱离芯片设计过程的缺点,采用芯片级电热参数联合仿真方法实现了芯片可靠性的优化.为验证该方法的可行性,以当前主流4G LTE产品指标进行实验,通过分析多热源温度对电路的影响和对比版图的优化效果,证明了该方法的优化性能.
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