| TiB2等C32型化合物价电子结构分析 |
| |
| 引用本文： | 苏文勇 张瑞林. TiB2等C32型化合物价电子结构分析[J]. 北京理工大学学报, 2000, 20(5): 550-554 |
| |
| 作者姓名： | 苏文勇 张瑞林 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京理工大学,应用物理系,北京,100081
2. 吉林大学,材料科学研究所,长春,130023 |
| |
| 摘 要： | 根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”，在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结构及熔点理论基础上，研究ＴｉＢ２等高性能材料电子结构，发现ＩＶＢ，ＶＢ族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高，原因是组成元素的杂阶升高，单链米距随元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高，原因是组成元素的杂阶升高，单链半距随杂阶升高而逐渐下降，其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系，表明用经验电子理论进行电子结构分
|
| 关 键 词： | 熔点 二硼化钛 价电子结构 化合物 |
| 修稿时间： | 2000-04-12 |
Analysis of Valence Electronic Structures of TiB2 and Other C32 Type Compounds |
| |
| SU Wen-yong,ZHANG Rui-lin. Analysis of Valence Electronic Structures of TiB2 and Other C32 Type Compounds[J]. Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition), 2000, 20(5): 550-554 |
| |
| Authors: | SU Wen-yong ZHANG Rui-lin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《北京理工大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《北京理工大学学报》下载全文 |
|
