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| 高速TTL电路中测废品分析 | |
| 引用本文： | 魏慧敏 ,李朝鲜.高速TTL电路中测废品分析[J].清华大学学报(自然科学版),1975(2). |
| 作者姓名： | 魏慧敏 李朝鲜 |
| 作者单位： | 北京大学电子仪器厂半导体专业 70届工农兵学员 |
| 摘 要： | 对高速TTL电路中测废品我们作了初步的调查分析,先后记录了十多批一万三千多个坏电路的情况,其中有一个参数不合格的,也有几个参数同时不合格的。某一个参数出现不合格的次数占总废品数的百分比超过30%的有: Vcd(53%)V9(49%)Vcg(48%)Ice(37.5%)我们主要分析了Vcd和Ice两个参数不合格的原因。下面报导我们采用的方法和所得的结果。 第一部分Vcd不合格的原因分析 Vcd不合格主要有三种类型: 1.中测时大于1V,而不带负载用普通电压表去测Vcd始终为“0”,我们称为 “无输出”电路; 2.不带负载测量低电平大于3V,通常称为“永高”电路; 3.低电… |
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