| 氧化锆流延基片的烧结温度及其性能研究 |
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| 引用本文： | 罗志安,肖建中.氧化锆流延基片的烧结温度及其性能研究[J].武汉科技大学学报(自然科学版),2009,32(2). |
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| 作者姓名： | 罗志安 肖建中 |
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| 作者单位： | 1. 武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,湖北,武汉,430081
2. 华中科技大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷湖北省重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地开放基金 |
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| 摘 要： | 比较了3种不同的烧结温度对氧化锆流延基片性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,基片的收缩率和相对密度增加、硬度增加、气孔率减小、晶粒和气孔的平均尺寸均有所增加.在1 500 ℃保温3 h可以获得较高的致密度(相对密度97.8%)和合适的晶粒尺寸,试样在1 073 K时离子电导率为1.187×10-2S·cm-1,烧结体物相主要为四方相.
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| 关 键 词： | 氧化锆 流延成型 烧结工艺 |
Sintering temperature and properties of ZrO2 tape-casting substrate |
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| Luo Zhian,Xiao Jianzhong.Sintering temperature and properties of ZrO2 tape-casting substrate[J].Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition),2009,32(2). |
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| Authors: | Luo Zhian Xiao Jianzhong |
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