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分类号
杂志ISSN号
N_2O氮化n-MOSFET's低温可靠性研究
作者姓名:
徐静平
于军
作者单位:
华中理工大学电子科学与技术系
摘 要:
通过与热氧化n-MOSFET’s 比较,调查了N2 O氮化 (N2ON) n-MOSFET’s 在最大衬底电流IB m ax和最大栅电流IG m ax 应力下的低温热载流子效应.结果表明,N2ON 器件在低温就像在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,N2 O 的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生.
关 键 词:
MOSFEF's
N_2O氮化
热载流子效应
低温
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