| 高像质非晶硅薄膜晶体管结构参数的设计 |
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| 引用本文： | 钱祥忠.高像质非晶硅薄膜晶体管结构参数的设计[J].温州大学学报(自然科学版),2004,25(2):59-62. |
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| 作者姓名： | 钱祥忠 |
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| 作者单位： | 温州师范学院物理与电子信息学院,浙江,温州,325027 |
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| 摘 要： | 分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性，提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值，讨论了高显示性能和高成品率a—Si TFT结构设计的最新进展。
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| 关 键 词： | 非晶硅薄膜晶体管 结构参数 设计 液晶显示器 |
| 文章编号： | 1006-0375(2004)02-0059-04 |
| 修稿时间： | 2004年2月8日 |
Design of Construct Parameters of High Image Quality a-Si TFT LCD |
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| QIAN Xiang-zhong.Design of Construct Parameters of High Image Quality a-Si TFT LCD[J].Journal of Wenzhou University Natural Science,2004,25(2):59-62. |
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| Authors: | QIAN Xiang-zhong |
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| Abstract: | The switch characteristic of a-Si thin film transistor(a-Si TFT) is analyzed. The design require and parameters quantity of on-off current and resistor, function films thickness, ratio of channel width to length and aperture ratio are introduced. The high display characteristics and high ratio of fishing product are discussed. |
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| Keywords: | a-Si thin film transistor construct parameters design liquid crystal display |
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