热氮化SiO_2膜的抗氧化机理的AES研究 |
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引用本文: | 赵特秀,吴建新,张垣生,刘洪图.热氮化SiO_2膜的抗氧化机理的AES研究[J].中国科学技术大学学报,1988(4). |
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作者姓名: | 赵特秀 吴建新 张垣生 刘洪图 |
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作者单位: | 中国科学技术大学物理系
(赵特秀,吴建新,张垣生),中国科学技术大学物理系(刘洪图) |
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摘 要: | 1 引言VLSI(very large scale Integration)性能的不断改善,元件尺寸的逐步减少,要求介质膜在超薄(~100A)的情况下具有优良的性能。热生长的SiO_2膜,在厚度小于250A时,因其缺陷密度较大,对某些杂质掩蔽能力变弱,致使超薄Si0_2膜不能满足超大规模集成电路发展的需要。然而,通过Si或SiO_2膜的热氮化则可得到高质量的超薄介质膜。这样,不仅能克服超薄热生长SiO_2膜的主要缺点,也避免了在Si_3N_4-SiO_2结构(如MNOS器件)中的介质界面陷阱效应。
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