| CdTe太阳电池组件的关键技术研究 |
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| 引用本文： | 李卫,冯良桓,张静全,武莉莉,蔡亚平,郑家贵,蔡伟,黎兵,雷智.CdTe太阳电池组件的关键技术研究[J].中国科学(E辑),2007,37(7):875-880. |
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| 作者姓名： | 李卫 冯良桓 张静全 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 蔡伟 黎兵 雷智 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);四川省科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜, 用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜. 为了获得优质的背接触, 对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层, 然后沉积背接触层. 结果表明：具有ZnTe/ZnTe: Cu 复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池. 最后, 采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合, 制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件, 其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03% (开路电压Voc = 718.1 mV, 短路电流Isc = 98.49 mA, 填充因子53.68%, 面积54 cm2) (由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).
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| 关 键 词： | 太阳电池组件 C-V特性曲线 CdTe |
| 收稿时间： | 2006-04-06 |
| 修稿时间： | 2006-04-062007-02-22 |
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