ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其 |
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作者姓名: | 延凤平 简水生 尾形健一 小池一步 佐佐诚彦 井上正崇 矢野满明 |
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作者单位: | [1]北京交通大学光波技术研究所北京100044 [2]BioVentureCenter,OsakaInstituteofTechnology,Asahiku,Osaka,535-8585,Japan [3]NewMaterialResearchCenterOsakaInstituteofTechnology,Asahiku,Osaka,535-8585,Japan |
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摘 要: | 利用电感耦合等离子体(ICP)及电子束探针微分析(EPMA)装置对等离子体辅助的分子束外延(MBE)法在蓝宝石衬底上生长的Zn1-xMgxO 薄膜的Mg组分进行了测试. 经理论分析, 导出适合于生长过程中Zn过剩和Zn不足两种情况下进行Mg组分分析的理论模型. 进一步针对Zn过剩的生长条件, 得出表示薄膜的Mg组分与薄膜生长过程中Mg坩埚温度之间关系的数学表达式, 并通过实验测试验证了这一表达式的正确性.
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关 键 词: | Mg组分 分子束外延(MBE) ZnMgO薄膜 |
收稿时间: | 2003-08-28 |
修稿时间: | 2003-12-12 |
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