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ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其
引用本文:延凤平,简水生 尾形健一 小池一步 佐佐诚彦,井上正崇,矢野满明,.ZnMgO薄膜的等离子体辅助分子束外延生长及其[J].中国科学(E辑),2004,34(3):261-267.
作者姓名:延凤平  简水生 尾形健一 小池一步 佐佐诚彦  井上正崇  矢野满明  
作者单位:[1]北京交通大学光波技术研究所北京100044 [2]BioVentureCenter,OsakaInstituteofTechnology,Asahiku,Osaka,535-8585,Japan [3]NewMaterialResearchCenterOsakaInstituteofTechnology,Asahiku,Osaka,535-8585,Japan
摘    要:利用电感耦合等离子体(ICP)及电子束探针微分析(EPMA)装置对等离子体辅助的分子束外延(MBE)法在蓝宝石衬底上生长的Zn1-xMgxO 薄膜的Mg组分进行了测试. 经理论分析, 导出适合于生长过程中Zn过剩和Zn不足两种情况下进行Mg组分分析的理论模型. 进一步针对Zn过剩的生长条件, 得出表示薄膜的Mg组分与薄膜生长过程中Mg坩埚温度之间关系的数学表达式, 并通过实验测试验证了这一表达式的正确性.

关 键 词:Mg组分  分子束外延(MBE)  ZnMgO薄膜
收稿时间:2003-08-28
修稿时间:2003-12-12
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