| 具备时间延迟积分的高性能线阵288×4 CMOS读出电路 |
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| 引用本文： | 高峻,鲁文高,刘菁,唐矩,崔文涛,赵宝瑛,陈中建,吉利久.具备时间延迟积分的高性能线阵288×4 CMOS读出电路[J].北京大学学报(自然科学版),2004,40(3):402-406. |
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| 作者姓名： | 高峻 鲁文高 刘菁 唐矩 崔文涛 赵宝瑛 陈中建 吉利久 |
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| 作者单位： | 北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871;北京,北京大学微电子学研究院,100871 |
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| 摘 要： | 描述了一种高性能CMOS线阵288×4读出电路的设计.该读出电路是一个大规模混合信号电路,集成了时间延迟积分以提高信噪比,实现了缺陷像素剔除以提高阵列的可靠性.其他特征包括积分时间可调,多级增益,双向扫描,超采样,以及内建电测试.该芯片采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺.测量得到的总功耗约为24mW,工作电压5V.
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| 关 键 词： | 时间延迟积分 读出电路 |
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