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| 镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备 | |
| 引用本文： | 朱开贵,石建中,魏彦峰,张立德.镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备[J].科学通报,1998(13). |
| 作者姓名： | 朱开贵 石建中 魏彦峰 张立德 |
| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所!合肥230031(朱开贵，石建中，张立德)，复旦大学表面物理国家重点实验室!上海200433(魏彦峰) |
| 摘 要： | 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2 复合薄膜的结构和成分进行了分析 |
| 关 键 词： | 纳米InSb 磁控溅射 量子限域效应 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |