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| Al2O3-SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析 | |
| 引用本文： | 王宏志,高濂,郭景坤.Al2O3-SiC纳米复合陶瓷中的残余应力分析[J].中国科学(E辑),1999,29(3):200-205. |
| 作者姓名： | 王宏志 高濂 郭景坤 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 |
| 摘 要： | 用Ｘ射线衍射的方法测定了Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷的残余应力，建立模型，计算了残余应力，并与实验测定结果吻合，探讨了纳米复合陶瓷的增韧补强机理。 |
| 关 键 词： | 纳米复合陶瓷 碳化硅 残余应力 氧化铝 X射线 |
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